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摘要
针对绝缘体上硅(SOI)器件较低的纵向耐压,提出一种基于衬底偏压(SB)的部分SOI(PSOI)横向高压器件新结构。在衬底偏压的作用下,部分漏端电场被引入到源端,使器件电场优化分布,同时,硅窗口的存在,使衬底耗尽层也承担了部分电压,器件击穿电压由漏端下方的硅层耗尽层、埋氧层、衬底耗尽层以及由于衬底偏压作用转移到源端下方的耗尽层共同承担,显著提高了器件耐压。借助二维数值仿真软件MEDICI详细分析了衬底偏压对器件击穿特性的影响,结果表明:在项层硅厚度为2μm时,该结构击穿电压比传统SOI结构及SBSOI结构分别提高了89%和60%。
