采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,制备碳纳米管薄膜。利用扫描电镜、透射电镜和拉曼光谱仪对其进行表征。结果表明,碳源气体流量对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用,获得分布均匀、密度适中、杂质缺陷少的碳纳米管的最佳碳源流量为30 sccm。
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