ICP干法刻蚀GaAs背孔工艺研究

作者：周佳辉; 常虎东; 张旭芳; 徐文俊; 李琦; 李思敏; 何志毅; 刘洪刚; 李海鸥

来源：真空科学与技术学报, 2015, 35(03): 306-310.

DOI：10.13922/j.cnki.cjovst.2015.03.10

• 感应耦合等离子体
• “长草”效应
• GaAs背孔
• 刻蚀形貌

采用金属Ni作为掩膜,Cl2/BCl3作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对Ga As HEMT背孔工艺进行研究。本文详细研究了ICP功率、反应室压强、Cl2/BCl3流量比以及RF功率对刻蚀速率、刻蚀形貌以及"长草"效应的影响。实验结果表明:刻蚀速率随ICP功率、Cl2/BCl3流量、RF功率的增加而增加,但随反应室压强的增加,刻蚀速率先增加后降低;相同RF功率条件下,背孔陡直性受ICP功率、反应室压强以及刻蚀气体流量比的影响十分明显;而RF功率则对背孔"长草"效应有较大影响。通过优化刻蚀条件,在ICP功率为500 W,反应室压强为0.4 Pa,Cl2/BCl3流量为20/5 m L/min,RF功率为120 W的刻蚀条件下,刻蚀背孔陡直性好,侧壁平滑,底部平整,刻蚀速率达到3μm/min。

• 出版日期2015
• 单位电子科技大学; 桂林电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 中国科学院微电子研究所