摘要

基于自建的超快抽运探测实验系统,研究了化学气相沉积法生长的SnSe2薄膜的超快载流子与声子动力学。对SnSe2薄膜随抽运能量密度变化的载流子弛豫过程的测量结果表明该薄膜具有超快的载流子热化过程和皮秒至纳秒时间尺度的复合过程。伴随着光生载流子的超快激发和能量弛豫,SnSe2薄膜发生晶格热化,产生了特定频率的相干声学声子。通过分析声学声子振荡信号随抽运能量密度变化的规律,揭示了SnSe2薄膜产生的相干声学声子的特性。研究结果对SnSe2薄膜在光电器件领域的应用研究具有一定的参考价值。