Hg_(1-x)Cd_xTe三元半导体的禁带宽度

作者：褚君浩; 徐世秋; 汤定元

来源：科学通报, 1982, (07): 403-405.

• 三元半导体
• 禁带宽度
• x)Cd_xTe

<正> 三元系Hg_(1-x)Cd_xTe(0≤x≤1)随着x的增大由半金属转变成半导体,半导体的禁带宽度E_g既是发展红外探测器的基本参数,又是能带结构研究中必须由实验来确定的两个最基本的参数之一(另一个是电子有效质量m~*或动量矩阵元P),因而它与组分x和温度T的关系是一个特别重要的问题,有过不少的研究报道。

• 出版日期1982
• 单位中国科学院上海技术物理研究所