Al/ZnO/Ag肖特基二极管的制备与光电特性

作者：王长昊; 王东兴; 王晓林; 庞超; 赵洪

来源：哈尔滨理工大学学报, 2012, (06): 57-60.

DOI：10.15938/j.jhust.2012.06.015

• 紫外探测
• 肖特基二极管
• ZnO薄膜
• I-V特性 photodetector
• Schottky barrier diode
• ZnO thin film
• styling
• I-V characteristics

以Si(111)为衬底,采用射频磁控溅射与高温退火工艺制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜对ZnO薄膜进行表征及结构分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度的C轴择优取向,样品表面光洁、平整.在此ZnO薄膜工艺条件下,在石英玻璃衬底上成功制备了Al/ZnO/Ag肖特基二极管紫外探测器.对该紫外探测器的暗电流和365 nm波长光照下的光电流进行了测试.室温下结果表明:Ag和ZnO已形成肖特基接触,根据I-V、C-V测试得到的有效势垒高度分别为0.60 eV和0.53 eV,理想因子为12.6,理论计算得到的空间电荷密度为3.1×1016cm-3.无光照3V偏压时,暗电流为24.19 mA,当...

• 出版日期2012
• 单位哈尔滨理工大学