Si表面吸附GaN的第一性原理研究

作者：李炜; 陈俊芳; 王腾; 张洪宾; 郭超峰

来源：材料导报, 2009, (16): 71-73+77.

• Si
• GaN
• 吸附
• 第一性原理 Si
• GaN
• adsorption
• first-principle

为了更好地了解Si表面对GaN的吸附,利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算了Si(100)和Si(111)弛豫表面分别吸附GaN的电子结构、吸附能大小以及其态密度图。计算结果表明,相对于Si(111)表面,Si(100)表面更容易吸附GaN,在同等实验条件下,在Si(100)表面应更容易沉积GaN薄膜。采用ECR-MOPECVD工艺,于低温下在Si(100)衬底上沉积得到了GaN薄膜,XRD谱图表明该薄膜是一种晶体结构和无定形结构的混合结构。

• 出版日期2009
• 单位华南师范大学