(100)Si基应变p型金属氧化物半导体[110]晶向电导率有效质量双椭球模型

作者：宋建军; 包文涛; 张静; 唐昭焕; 谭开洲; 崔伟; 胡辉勇; 张鹤鸣

来源：Acta Physica Sinica, 2015, (01): 402-409.

• 应变
• 电导率有效质量
• 双椭球
• 模型 strain
• conductivity effective mass
• double ellipsoid
• model

利用应变技术和沟道晶向工程技术,均可有效增强Si基金属氧化物半导体器件的性能.本文提出了(100)Si p型金属氧化物半导体(PMOS)[110]晶向电导率有效质量双椭球模型,从理论上解释了Si PMOS[100]晶向沟道空穴迁移率为[110]晶向沟道空穴迁移率1.15倍的原因.基于(100)Si基应变PMOS反型层E-k关系,拓展应用该模型,首先获得了(100)Si基应变PMOS反型层价带第一子带等能图,然后给出了(100)Si基应变PMOS器件反型层[110]晶向空穴电导率有效质量模型.本文的模型方案合理可行,可为Si基应变PMOS器件的研究与设计提供有价值的参考.

• 出版日期2015-11-24
• 单位西安电子科技大学