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摘要
多孔硅在微电子机械系统(MEMS)、生物等领域得到了广泛的研究,边缘效应是其进入应用的难题之一,边缘效应的存在会导致多孔硅薄膜机械强度的降低,进而影响整个多孔硅薄膜的一致性。在n型和p型2种硅晶片上,研究了电化学腐蚀中常见的多孔硅边缘效应,分析了边缘效应的产生机制,分别使用SU8光刻胶掩模法和边缘区域施加压力法对边缘效应进行了有效的抑制。并在不同类型的硅晶片上,使用压力法制备出了无边缘效应的宏孔多孔硅膜,p型多孔硅膜厚达到250μm。
- 出版日期2010
- 单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 中国科学院大学
