N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化

作者：郭维; 丁扣宝; 韩成功; 朱大中; 韩雁

来源：浙江大学学报(工学版), 2011, 45(06): 1038-1042.

DOI：10.3785/j.issn.1008-973X.2011.06.012

• 横向双扩散N型MOS器件
• 雪崩击穿
• 导通电阻退化
• 电荷泵

针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided design)仿真和电荷泵测试,分析研究导通电阻退化发生的区域及退化的微观机理,并针对实验结果提出2种退化机制:(1)NLDMOS漂移区中的空穴注入效应,这种机制会在器件表面产生镜像负电荷,造成开态导通电阻Ron的减少;(2)漂移区中的表面态增加效应,这种机制会造成载流子迁移率的下降,引起Ron的增加.这2种机制都随着雪崩击穿电流的增加而增强.

• 出版日期2011
• 单位浙江大学