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AlGaN layers grown on GaN using strain-relief interlayers

作者：Chen C Q*; Zhang J P; Gaevski M E; Wang H M; Sun W H; Fareed R S Q; Yang J W; Khan M Asif
来源：Applied Physics Letters, 2002, 81(26): 4961-4963.
DOI：10.1063/1.1531219
  • 出版日期2002-12-23

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更新时间：2017-05-17 18:04