AlGaN/GaN SBD的正向导通特性研究

作者：孙晓; 郭伟玲; 徐儒; 朱彦旭; 孙捷; 陈艳芳; 李松宇; 邹德恕

来源：固体电子学研究与进展, 2015, (05): 420-423+452.

• 肖特基势垒二极管
• 铝镓氮/氮化镓
• 电极布局
• 衬底偏压 Schottky barrier diode(SBD)
• AlGaN/GaN
• electrode layout
• substrate bias

主要研究了横向AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(简称SBD)的正向导通特性,设计制备了基于蓝宝石衬底和硅衬底的不同器件结构的AlGaN/GaN SBD器件。测量结果表明,通过适当改变肖特基-欧姆电极布局,以及在导电衬底上施加相应的偏压,可以有效改善器件的正向导通特性。实验所制备的肖特基电极半径为120μm、肖特基-欧姆电极间距为25μm的基于Al2O3衬底的AlGaN/GaN SBD器件,实现了正向导通电流0.05A@2V(Ron=9.13mΩ·cm2)、反向饱和漏电流为10-6 A的性能。对制备的硅基AlGaN/GaN SBD器件的测试发现,通过外加衬底偏压能够有效改善其正向导通特性...

• 出版日期2015
• 单位北京工业大学