氮化镓薄膜生长工艺研究的最新进展

作者：赵谢群; 张燕红; 邱向东; 孙晋伟

来源：稀有金属, 1998, (02): 59-63.

• GaN
• 薄膜
• 外延生长
• 活化氮源 Gallium nitride thin film
• Epitaxial growth
• Activated nitrogen source
• Doping

综述了高质量ＧａＮ薄膜材料生长工艺的最新进展，着重阐明金属有机物汽相沉积工艺以及以活性氮为前体的分子束外延工艺的应用。

• 出版日期1998
• 单位北京科技大学; 北京有色金属研究总院