AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合

作者：王鑫华; 赵妙; 刘新宇; 蒲颜; 郑英奎; 魏珂

来源：Acta Physica Sinica, 2011, (04): 549-553.

• HEMT
• 费米能级
• C-V特性
• 二维势阱的电子限制能力 HEMT
• Fermi level
• C-V characteristics
• the ability of restricting

利用蓝宝石衬底的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件(HEMT)的电容电压(C-V)特性,对电子费米能级与二维电子气面密度的经验关系进行表征,其结果对器件电荷控制模型的建立,跨导及电容表达式的简化有重要意义.文章创新性地提出参数α用于表征二维势阱对沟道电子限制能力,并认为α越小则二维势阱的沟道电子限制能力越强.利用上述经验关系来拟合电容,可以获得与实测电容很好的一致性.

• 出版日期2011
• 单位中国科学院微电子研究所