摘要

正如人们所知,可以通过电场或者设计非对称的半导体异质结构来调控体系的结构反演不对称性(SIA)和Rashba自旋劈裂.本文研究了Al_(0.6)Ga_(0.4)N/GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N/Al_(0.6)Ga_(0.4)N量子阱中第一子带的Rashba系数和Rashba自旋劈裂随Al_(0.3)Ga_(0.7)N插入层(右阱)的厚度w_s以及外加电场的变化关系,其中GaN层(左阱)的厚度为40-w_s?.发现随着w_s的增加,第一子带的Rashba系数和Rashba自旋劈裂首先增加,然后在w_s>20?时它们迅速减小,但是w_s>30?时Rashba自旋劈裂减小得更快,因为...

  • 出版日期2016
  • 单位许昌学院