Ar~+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面损伤及消除

作者：吕衍秋; 越方禹; 洪学鹍; 陈江峰; 韩冰; 吴小利; 龚海梅

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2007, (01): 122-126.

• Ar+刻蚀
• InGaAs
• InP
• 湿法腐蚀
• 表面损伤

研究了Ar+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面的损伤,并用湿法腐蚀后处理消除损伤.Ar+刻蚀后InGaAs表面均方根粗糙度较小,而n-InP和p-InP表面明显变粗糙.刻蚀后InGaAsPL强度增加,而n-InP和p-InPPL强度都减小.用XPS分析了未刻蚀、Ar+刻蚀和湿法腐蚀后处理三种情况下样品表面原子含量.刻蚀后InGaAs表面In和Ga含量明显增加,n-InP和p-InP表面有严重P缺失.湿法腐蚀后,样品表面原子含量和未刻蚀前基本一致.

• 出版日期2007-1-15
• 单位中国科学院大学; 中国科学院上海技术物理研究所