碳源体积分数对BDD薄膜制备和性能的影响

作者：张男男; 檀柏梅; 高宝红; 程川; 杨志欣

来源：微纳电子技术, 2014, (12): 807-810.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2014.12.011

• 丙酮体积分数
• 热丝化学气相沉积(HFCVD)
• 硼掺杂金刚石(BDD)薄膜
• 电化学
• 氧化效率 volume fraction of acetone
• hot filament chemical vapor deposition(HFCVD)
• bo-ron-doped diamond(BDD)thin film
• electrochemistry
• oxidation efficiency

以丙酮为碳源,采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术在钽衬底上制备p型硼掺杂金刚石(BDD)薄膜电极。在BDD电极制备过程中,碳源体积分数对它的质量和性能影响很大。利用AFM和XRD分析了丙酮体积分数对BDD电极表面形态和成膜质量的影响。利用循环伏安法研究了采用不同体积分数的丙酮沉积的BDD电极对电化学窗口和背景电流的影响。分别采用BDD电极和不锈钢片作阳极和阴极电解K2SO4溶液,并利用KMnO4滴定法检测BDD电极的氧化效率。结果表明,优化丙酮体积分数可以提高BDD的均匀性和附着力。合适的丙酮体积分数所制备的BDD电极具有电化学窗口宽、背景电流低和电极氧化效率高等特点,有很好的应用前景。

• 出版日期2014
• 单位河北工业大学