水平法生长GaAs单晶中砷微沉淀及碳微夹杂的研究

作者：孙贵如; 李玉珍

来源：电子显微学报, 1984, (04): 60.

• 电子衍射分析
• 单晶材料
• 水平法
• 立方结构
• 正交晶系
• 约化胞
• 高压电镜
• 选区电子衍射
• 方石英
• 第二相

<正> 做为衬底材料的各种掺杂和不掺杂的GaAs单晶材料中的微沉淀及微夹杂,都影响GaAs器件及集成电路的性能。我们用JEM-1000超高压电镜,采用选区电子衍射技术,研究了掺Si、掺Cr及纯度水平法生长(HB)低位错GaAs单晶中的As和C微小第二相的形态及结构。采用约化胞法、借助电子计算机计算约化胞数据表,来分析标定电子衍射花样确定结构。经电子衍射分析表明,掺Si、掺Cr及纯度水平法生(?)GaAs单晶中有二种结构类型As沉淀、一种为六方晶系As(a_0=3.76埃,c=10.55埃),另一种为正交晶系As(a_0=3.63埃,b_0=4.45埃,C_0=10.96埃),而且它们往往与α-...

• 出版日期1984
• 单位北京有色金属研究总院