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摘要
随着半导体制造步入1x nm 技术节点时代，光刻机中的对焦控制精度需要达到几十纳米。在纳米精度范围内，硅片上的集成电路（IC）工艺显著影响调焦调平系统的测量精度。基于实际的调焦调平光学系统模型和三角法、叠栅条纹法测量原理，建立工艺相关性误差模型。研究表明，工艺相关性误差主要来源于测量光在光刻胶涂层内部的多次反射。选取 3 种光刻胶仿真分析发现，不同光刻胶的工艺相关性误差随光刻胶厚度的变化趋势相同，随测量光入射角（45°~85°）的增大而减小。在实验验证平台上分别测量7 种工艺硅片，实验测量值与理论模型计算值差异统计平均值小于 6 nm。结果表明，光刻机中调焦调平系统的测量光有必要采用大的入射角...
- 出版日期2016-5-30
- 单位中国科学院大学; 中国科学院微电子研究所
