第一性原理计算Ti掺杂CrSi_2的光电特性

作者：闫万珺; 张春红; 周士芸; 谢泉; 韦会敏

来源：原子与分子物理学报, 2014, (01): 167-172.

• Ti掺杂CrSi2
• 第一性原理
• 电子结构
• 光学性质 Ti-doped CrSi2
• First principle
• Electronic structure
• Optical properties

采用第一性原理方法对Ti掺杂CrSi2的几何结构、电子结构、复介电函数、吸收系数、反射谱、折射率和光电导率进行了计算,对Ti置换Cr原子后的光电特性变化进行了分析.结果表明:Ti置换Cr原子后,晶格常数a,b和c均增大,体积变大;Ti的掺入引入了新的杂质能级,导致费米能级插入价带中,Cr11TiSi24变为p型半导体,带隙宽度由未掺杂时的0.38eV变为0.082eV,价带顶和导带底的态密度主要由Cr-d和Ti-d层电子贡献;与未掺杂CrSi2相比,Cr11TiSi24的介电峰发生了红移,仅在1.33eV处有一个峰,而原位于4.53eV处的峰消失;吸收系数,反射率和光电导率明显降低.

• 出版日期2014
• 单位安顺学院; 贵州大学