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摘要
利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上制备了高质量的AlGaN薄膜材料,并用传统的紫外光刻技术和湿度刻蚀方法将生长出来的材料制备成深紫外光电探测器件;利用KrF激光器的248 nm波长的光作为激发光源,测试了器件在3 V偏压下的响应时间,最小达到了0.32 ms,分析比较了正入射和背入射2种结构的响应时间。
- 出版日期2010
- 单位中国人民解放军火箭军工程大学
利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上制备了高质量的AlGaN薄膜材料,并用传统的紫外光刻技术和湿度刻蚀方法将生长出来的材料制备成深紫外光电探测器件;利用KrF激光器的248 nm波长的光作为激发光源,测试了器件在3 V偏压下的响应时间,最小达到了0.32 ms,分析比较了正入射和背入射2种结构的响应时间。
