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摘要
本实用新型公开了一种GaN基级联功率器件。该GaN基级联功率器件包括大栅宽GaN基功率芯片、硅基功率MOS芯片、TO-220框架、小铜基板、导电银浆和绝缘胶；大栅宽GaN基功率芯片是横向结构的高耐压、耗尽型GaN基功率芯片,硅基功率MOS芯片是垂直结构的低压、增强型硅基功率MOS芯片。硅基功率MOS芯片通过导电银浆与小铜基板连接,小铜基板通过绝缘胶与TO-220框架的基岛连接；大栅宽GaN基功率芯片通过绝缘胶固定在TO-220框架的基岛上；本实用新型通过引入Cascode方式,将大栅宽GaN基功率芯片与硅基功率MOS芯片结合起来,组合成实用性更广的增强型的GaN基功率器件。
- 出版日期2018-8-21
- 单位中山市华南理工大学现代产业技术研究院
