外加磁场对磁控溅射制备氮化硅陷光薄膜的影响

作者：江强; 毛秀娟; 周细应; 苌文龙; 邵佳佳; 陈明

来源：Acta Physica Sinica, 2013, (11): 530-536.

• 外加磁场
• 磁控溅射
• 氮化硅薄膜
• 陷光效应 applied magnetic field
• magnetic sputtering
• silicon nitride thin film
• light trapping

在基底与靶材之间放置磁性强弱不同的永久磁铁来研究外加磁场对磁控溅射制备氮化硅陷光薄膜的影响.通过X射线衍射、原子力显微镜(AFM)以及紫外分光光度计分别测试了外加磁场前后所制备薄膜的组织结构、表面形貌和光学性能.结果表明,外加磁场后,氮化硅薄膜依然呈现非晶结构;但是表面形貌发生明显改变,中心磁场1.50T下,薄膜表面为特殊锥状尖峰结构"类金字塔"的突起,而且这些突起颗粒垂直于基底表面;在可见光及近红外范围内,中心磁场1.50T下的薄膜样品平均透射率最大,平均透射率达到90%以上,比未加磁场的样品提高了近1倍,具有很好的陷光特性.

• 出版日期2013
• 单位上海工程技术大学