SnAgCu-xTi在单晶硅表面的润湿行为

作者：隋然; 林巧力^*

来源：焊接学报, 2020, 41(04): 90-102.

• 润湿性
• 表面绒化
• 惰性界面
• 连接

采用改良座滴法在高真空条件下研究了熔融Sn0.3Ag0.7Cu(SAC)-xTi(x为质量分数,%)在800～900℃与单晶硅表面的润湿行为.结果表明,SAC-xTi/Si体系属于惰性润湿体系,钛的添加显著改善了润湿性.在不添加钛时,SAC钎料在800℃与单晶硅润湿1 800 s后达到平衡,平衡接触角为63°;SAC-1Ti钎料在900℃润湿1 800 s后获得最小平衡接触角41°;SAC-3Ti钎料在900℃时达到平衡润湿的时间最短,仅为50 s,平衡接触角为48°.润湿机制为钛加速了单晶硅表面氧化膜的去除.在熔融钎料的铺展过程中,通过溶解-再析出机制和微掩膜机制,在固/液界面处形成了温度依赖的"金字塔"结构,温度越高,"金字塔"结构越稀疏且形貌越大."金字塔"结构的出现并未改善体系的润湿性,由于其对三相线的钉扎作用,进而使得体系的润湿性变差.

• 出版日期2020
• 单位兰州理工大学; 兰州工业学院