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摘要
对多壁碳纳米管薄膜的压阻效应进行了研究.实验所用的多壁碳纳米管用热灯丝化学气相沉积法合成,压阻效应用三点弯曲法测量.研究发现:在室温下与500微应变内,原始的多壁碳纳米管薄膜无明显压阻效应,而经化学修饰处理的碳纳米管膜的压阻因子最高可达120左右,大大超过多晶硅(Si)在35℃时的压阻因子30,并且压阻因子与制备方法密切相关.重点讨论了多壁碳纳米管薄膜产生压阻效应的机制.
- 出版日期2012
- 单位华北电力大学苏州研究院; 中国科学院物理研究所; 华北电力大学
对多壁碳纳米管薄膜的压阻效应进行了研究.实验所用的多壁碳纳米管用热灯丝化学气相沉积法合成,压阻效应用三点弯曲法测量.研究发现:在室温下与500微应变内,原始的多壁碳纳米管薄膜无明显压阻效应,而经化学修饰处理的碳纳米管膜的压阻因子最高可达120左右,大大超过多晶硅(Si)在35℃时的压阻因子30,并且压阻因子与制备方法密切相关.重点讨论了多壁碳纳米管薄膜产生压阻效应的机制.
