纳米SiC陶瓷的氧化特性的研究

作者：陈文怡

来源：中国陶瓷, 2016, 52(05): 20-23.

DOI：10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2016.05.005

• SiC
• 聚碳硅烷PCS
• 动力学
• 氧化
• DSC

采用差示扫描量热DSC研究了在不同的升温条件下的聚碳硅烷PCS热解产物纳米Si C粉末在空气环境中的氧化反应动力学,并结合X射线衍射和拉曼光谱技术探讨其氧化特性。结果表明:升温速度对PCS热解产物纳米Si C粉末的氧化过程有较大的影响,随着升温速度的增加,1100℃左右的放热氧化峰向高温方向偏移。动力学研究表明微米Si C氧化活化能为115.90 k J/mol,PCS热解产物纳米Si C粉末氧化活化能为485.73 k J/mol,表明PCS热解产物纳米Si C粉末具有较好的抗氧化性能。

• 出版日期2016
• 单位武汉理工大学