Au/STO/Pt三明治结构阻变存储器性质研究

作者：史自鸿; 孙献文; 丁玲红; 张伟风

来源：电子元件与材料, 2012, (08): 25-28.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2012.08.022

• SrTiO3(STO)薄膜
• 双极性电阻开关
• 氧空位 SrTiO3(STO) thin films
• bipolar resistive switching
• oxygen vacancy

采用脉冲激光沉积法(PLD)在Pt衬底(Pt/TiO2/SiO2/Si)上制备了SrTiO3(STO)薄膜,并对其表面特性,表面组成和结构进行了研究分析。在此基础上制备了具有三明治结构的Au/STO/Pt阻变器件,并测试了其I-V特性。结果显示:空间电荷限制电流(SCLC)机制对SrTiO3薄膜中氧空位的运输起了决定作用;薄膜界面缺陷对载流子的俘获与去俘获导致了SrTiO3薄膜I-V特性的产生。

• 出版日期2012
• 单位河南大学