科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
在CMOS图像传感器像素级ADC中,提出了一种类二进制编码计数器改进的斜坡发生器电路。改进后的斜坡发生器电路采用的是权重电容阵列,所需电容数量远远少于传统斜坡发生器,使得芯片面积减小,尤其对于芯片体积要求很高的像素级ADC来说有很好的应用前景。整体电路采用0.18 μm CMOS工艺,电源电压为3.3 V,仿真结果表明:斜坡发生电路产生LSB约需2.98 μs,阶梯高度大约为15.58 mV;产生MSB约需644.74 μs,阶梯高度大约为1 V。整体电路的版图面积减小,正确的建立了阶梯增进信号。
- 出版日期2021
- 单位华东光电集成器件研究所
