SOI基锗共振腔增强型光电探测器的制作与性能测试

作者：蔡志猛; 陈荔群; 李成

来源：福州大学学报(自然科学版), 2016, (05): 656-660.

• 锗
• 共振腔增强型
• SOI
• 光电探测器 germanium
• resonant cavity-enhanced
• silicon-on-insulator
• photodetector

在超高真空化学气相沉积设备上,利用低温生长的硅锗和锗作为缓冲层,在SOI衬底上成功外延出高质量的锗薄膜.基于谐振腔增强型探测器(RCE)理论,模拟优化了有源层和上下反射层的厚度尺寸.传输矩阵方法计算结果显示:将SOI衬底自有二氧化硅、硅层作为一对下反射层的情况下,取2对SiO_2/Ta_2O_5作为上反射层时,量子效率可以达到接近56%.制作的SOI基锗光电探测器,暗电流密度为0.65 m A·cm~(-2).在8 V的偏压下,探测器在1 550 nm处响应度1.45 m A·W~(-1),可以观察到探测器的共振现象.

• 出版日期2016
• 单位集美大学; 厦门华厦学院; 厦门大学