红外非线性光学晶体CdSe生长与性能表征

作者：曾体贤; 赵北君; 朱世富; 何知宇; 卢大洲; 陈宝军; 唐世红

来源：人工晶体学报, 2009, (02): 326-329+345.

• CdSe单晶
• 气相生长
• VUVG法
• 性能表征

采用垂直无籽晶气相法(VUVG)生长出尺寸达φ26mm×45mm的CdSe单晶体,对CdSe晶体的稳态气相生长速率进行了深入讨论。采用气相升华法提纯后的CdSe多晶原料的X射线粉末衍射谱与PDF卡片值(65-3436)吻合,生长出的单晶体{100}和(110)面XRD衍射峰尖锐,无杂峰,且{100}面出现3级衍射峰。晶锭密度为5.74g/cm3,与理论计算值接近。退火处理后的晶片在1000～7000cm-1红外波段范围内透过率达到70%。采用VUVG法生长的CdSe单晶体,结晶性能好、结构致密、尺寸大和红外透过率高,可用于制备红外非线性光学器件。

• 出版日期2009-4-15
• 单位四川大学