一种65 nm CMOS低功耗加固SRAM单元

作者：黄正峰; 卢康; 郭阳; 徐奇; 戚昊琛; 倪天明; 鲁迎春^*

来源：微电子学, 2019, 49(04): 518-528.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180437

• 低功耗
• 单粒子翻转
• SRAM
• 抗辐照加固设计
• 稳定性

提出了12管低功耗SRAM加固单元。基于堆叠结构,大幅度降低电路的泄漏电流,有效降低了电路功耗。基于两个稳定结构,可以有效容忍单粒子翻转引起的软错误。Hspice仿真结果表明,与相关加固结构相比,该结构的功耗平均下降31.09%,HSNM平均上升19.91%,RSNM平均上升97.34%,WSNM平均上升15.37%,全工作状态下均具有较高的静态噪声容限,表现出优秀的稳定性能。虽然面积开销平均增加了9.56%,但是,读时间平均下降14.27%,写时间平均下降18.40%,能够满足高速电子设备的需求。

• 出版日期2019
• 单位合肥工业大学; 安徽工程大学