Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系的As离子注入和退火

作者：吴春武殷士端张敬平范缇文刘家瑞朱沛然

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 1989, (09): 659-726.

• 离子注入
• 离子束混合
• 硅化物 Ion implantation
• Ion mixing
• Silicide
• Chemical phase
• Enhanced-liffusion

本文用RBS,AES,TEM和X射线衍射等实验方法,分析比较了Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系统在室温下As离子混合和热退火的行为.得出在Ni/Si系统中,硅混合量Q_(s1)与剂量Φ的平方根成正比,形成Ni_2Si相.在Pt/Si系中,硅混合量也与剂量的平方根成正比,先后形成Pt_3Si和Pt_2Si相.对Ir/Si系,Q_(s1)与Φ则是线性关系:Q_(s1)=aΦ+b,未测到化学相.实验表明:离子束混合能大大增强金属和硅化物的化学反应.在离子混合和退火形成硅化物的过程中,注入杂质As的分布有显著变化.

• 出版日期1989
• 单位中国科学院物理研究所; 中国科学院半导体研究所