摘要
为提高外延SiGe/SiHBT材料中Si发射极的生长速率,研究了Si2H6预热温度对Si生长速率的影响,结果表明在一很窄的温区内,Si的生长速率提高了一倍.进一步升温Si的生长速率迅速下降.用四级质谱仪对低温Si-GSMBE中Si2H6的热裂解过程进行了研究,对该现象做了解释.
- 出版日期1999
- 单位中国科学院半导体研究所
为提高外延SiGe/SiHBT材料中Si发射极的生长速率,研究了Si2H6预热温度对Si生长速率的影响,结果表明在一很窄的温区内,Si的生长速率提高了一倍.进一步升温Si的生长速率迅速下降.用四级质谱仪对低温Si-GSMBE中Si2H6的热裂解过程进行了研究,对该现象做了解释.