物理热蒸发法制备Ga掺杂ZnO纳米材料的研究

作者：雷曼; 范新会; 于灵敏; 陈建; 韦建松; 严文

来源：材料保护, 2013, S2: 1-3.

DOI：10.16577/j.cnki.42-1215/tb.2013.s2.023

• 热蒸发法
• ZnO纳米材料
• Ga掺杂
• 结构
• 形貌
• 光致发光 thermal evaporation method
• ZnO nanomaterial
• Ga doped
• microstructure
• morphology
• photoluminescence

采用物理热蒸发锌(Zn)粉与三氧化二镓(Ga2O3)粉的方法,制备出不同形貌的Ga掺杂纳米ZnO。利用XRD、SEM、TEM对产物的结构和形貌进行了分析。结果表明,所生成的产物是具有六方结构的单晶ZnO,其中4%Ga掺杂的ZnO纳米结构呈标枪状,与呈线状、未掺杂的ZnO形貌差异较大。在PL检测中发现Ga掺杂使光致发光绿光峰强度增加,并且4%Ga掺杂时其绿光峰强度最大。在随后的XPS检测中发现Ga掺杂使得ZnO中氧空位缺陷增多,这是PL中绿光峰出现和强度变化的原因。

• 出版日期2013
• 单位西安工业大学