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摘要
本文分析了光折变晶体多重全息存储中扇形效应对光栅写入时间常数的影响和写入光耦合对光栅振幅的影响，给出了两种因素影响下角度编码多重全息存储中时间递减曝光法的计算公式和方法，该计算公式和通常的有所不同。数值计算结果表明，按照这种计算方法所得多重存储中各幅全息光栅振幅不仅均匀性好，而且振幅也相对较大，这种曝光方法有利于提高晶体的存储容量。
- 出版日期1999
- 单位西安电子科技大学; 中国科学院西安光学精密机械研究所
本文分析了光折变晶体多重全息存储中扇形效应对光栅写入时间常数的影响和写入光耦合对光栅振幅的影响，给出了两种因素影响下角度编码多重全息存储中时间递减曝光法的计算公式和方法，该计算公式和通常的有所不同。数值计算结果表明，按照这种计算方法所得多重存储中各幅全息光栅振幅不仅均匀性好，而且振幅也相对较大，这种曝光方法有利于提高晶体的存储容量。
