Al掺杂对HfO_2俘获层可靠性影响第一性原理研究

作者：蒋先伟; 代广珍; 鲁世斌; 汪家余; 代月花; 陈军宁

来源：Acta Physica Sinica, 2015, (09): 250-256.

• 电荷俘获存储器
• 共存缺陷体
• 氧空位
• 第一性原理 charge trapping memory
• co-doped composited defect system
• oxygen vacancy
• the firstprinciples

采用基于MS(Materials Studio)软件和密度泛函理论的第一性原理方法,研究了HfO2俘获层的电荷俘获式存储器(Charge Trapping Memory,CTM)中电荷的保持特性以及耐擦写性.在对单斜晶HfO2中四配位氧空位(VO4)缺陷和VO4与Al替位Hf掺杂的共存缺陷体(Al+VO4)两种超晶胞模型进行优化之后,分别计算了其相互作用能、形成能、Bader电荷、态密度以及缺陷俘获能.相互作用能和形成能的计算结果表明共存缺陷体中当两种缺陷之间的距离为2.216时,结构最稳定、缺陷最容易形成;俘获能计算结果表明,共存缺陷体为双性俘获,且与VO4缺陷相比,俘获能显著增大;Bad...

• 出版日期2015
• 单位安徽大学; 合肥师范学院