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一种应用于单光子雪崩二极管的快速有源淬灭电路

刘马良; 刘秉政; 黎雄政; 胡进; 朱樟明; 杨银堂
西安电子科技大学
西安电子科技大学

摘要

本发明属于光电探测技术领域,具体涉及一种应用于单光子雪崩二极管的快速有源淬灭电路,包括单光子雪崩二极管SPAD和高压电压端HVDD,单光子雪崩二极管SPAD的阴极与高压电压端HVDD连接,用于产生雪崩电流脉冲;还包括:淬灭复位单元,与单光子雪崩二极管SPAD连接,用于淬灭并复位单光子雪崩二极管SPAD,并根据雪崩电流脉冲产生脉冲电压信号;电源单元VDD,用于为淬灭复位单元与提供电源。本发明具有淬灭和复位速度极快、结构简单的有益效果。

关键词

-

出版信息

专利状态
授权
专利国别
CHINA
专利有效期
2019-6-18 ~ 2039-6-18
专利号
ZL201910528611.6
公开号
CN110274697B

学科领域

计算机科学与技术物理学

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