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Area selective epitaxy of InAs on GaAs(001) and GaAs(111)A by migration enhanced epitaxy (vol 323, pg 9, 2011)
作者:Zander M
*
; Nishinaga J; Iga K; Horikoshi Y
来源:
Journal of Crystal Growth
, 2011, 335(1): 181-182.
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2011.09.029
Nanostructures
Migration enhanced epitaxy
Molecular beam epitaxy
Semiconducting indium compounds
出版日期
2011-11-15
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