MP-CVD-Si_3N_4膜应力测试研究

作者：周邦伟; 吴庭棣; 甄汉生; 吴锦发; 董清云

来源：清华大学学报(自然科学版), 1987, (04): 75-81.

DOI：10.16511/j.cnki.qhdxxb.1987.04.009

• 电子回旋共振(ECR)
• 共振吸收
• 化学汽相沉积 electron cyclotron resonance (ECR)
• resonance absorption
• chemical vapor deposition (CVD).

本文介绍了采用 ＭＰ—ＣＶＤ方法低温（基片不加热）沉积 Ｓｉ３Ｎ４膜的应力分析。经过测试研究证明Ｓｉ３Ｎ４膜为压应力，并作了应力随工艺参数变化趋势的研究。由于此法制备的薄膜为无定形结构，应力分析方法主要采用了光学法，并用Ｘ光衍射ｓｉｎ２Ψ法进行了探讨

• 出版日期1987
• 单位中国科学院半导体研究所; 清华大学