AlGaN/AlN/GaN HEMT结构2DEG的光致发光谱

作者：唐健; 王晓亮; 肖红领

来源：半导体技术, 2014, (09): 703-706.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.09.014

• 氮化镓
• 高迁移率晶体管(HEMT)
• 光致发光
• 二维电子气(2DEG)
• 能级分裂 GaN
• high electron mobility transistor(HEMT)
• photoluminescence
• two-dimensional electron gas(2DEG)
• energy level split

AlGaN/GaN HEMT结构材料主要用于研制微电子器件,对其发光性质的研究相对较少。通过对AlGaN/GaN HEMT结构材料的光致发光谱(PL)研究,观测到了AlGaN势垒层中Al组分为40%的AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气(2DEG)光致发光及其能级分裂现象。在4.5 K低温下,其2DEG发光峰在GaN带边峰能量以下30和40 meV处分裂成两个峰位,直至温度持续升高至40 K后消失。根据GaN价带顶部在单轴晶格场和自旋-轨道耦合共同作用下的能级分裂理论,因自旋-轨道耦合引起的2DEG发光峰两个分裂能级差约为10 meV,与实验测得的结果一致,因此实验观测到的2DEG发光峰...

• 出版日期2014
• 单位盐城师范学院; 中国科学院半导体研究所