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单斜BiScO_3和BiCrO_3的电子结构和光学性质的第一性原理比较研究

骆最芬; 范梦慧; 黄金保; 岑伟富; 赵宇军
中国知网万方
电子工程学院; 贵州大学; 贵州民族大学; 华南理工大学

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对单斜BiScO3和BiCrO3的电子结构和光学性质进行了比较研究.结果表明:BiScO3为无磁绝缘体,带隙为直接带隙,BiCrO3为间接带隙磁性半导体;BiScO3和BiCrO3都不吸收能量小于1.02 eV的光子,BiScO3吸收可见光的能力强于BiCrO3.

关键词

BiScO3 BiCrO3 第一性原理 电子结构 光学性质