采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对单斜BiScO3和BiCrO3的电子结构和光学性质进行了比较研究.结果表明:BiScO3为无磁绝缘体,带隙为直接带隙,BiCrO3为间接带隙磁性半导体;BiScO3和BiCrO3都不吸收能量小于1.02 eV的光子,BiScO3吸收可见光的能力强于BiCrO3.