大尺寸高质量GaSb单晶研究

作者：练小正; 李璐杰; 张志鹏; 张颖武; 程红娟; 徐永宽

来源：人工晶体学报, 2016, 45(04): 901-905.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2016.04.009

• GaSb
• 垂直布里奇曼法
• 位错密度
• 覆盖剂

采用垂直布里奇曼法(VB法)生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,残渣吸附在坩埚内壁导致GaSb多晶形成。通过增加覆盖剂除水工艺,成功生长出2英寸高质量GaSb单晶。此外,研究了单晶内部位错分布特点,结果显示GaSb晶体具有较低的位错密度,EPD≤500 cm-2;同时,对晶体进行XRD摇摆曲线测试,其FWHM值为27arcsec,表明晶体质量较高;此外,对晶体进行了电学性能测试,结果显示制备的GaSb晶体呈P型导电,晶体迁移率为610 cm2/V·s,载流子浓度达到了1.68×1017cm-3。

• 出版日期2016
• 单位中国电子科技集团公司第四十六研究所