空心硅通孔的设计及其传输性能

作者：郭育华; 王强文; 甘雨辰; 刘建军

来源：微纳电子技术, 2019, 56(12): 999-1009.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2019.12.009

• 微系统
• 三维集成
• 硅通孔(TSV)
• 射频(RF)传输
• 低插入损耗

硅通孔(TSV)能够实现信号的垂直传输,是微系统三维集成中的关键技术,在微波毫米波领域,硅通孔的高频传输特性成为研究的重点。针对微系统三维集成中,无源集成的硅基转接板的空心TSV垂直传输结构低损耗的传输要求,进行硅通孔的互连设计和传输性能分析。采用传输线校准方式,首先在硅基转接板上设计TSV阵列接地的共面波导(CPW)传输线和带TSV过孔的传输结构,并分别进行仿真分析,计算得出带TSV过孔的传输结构的插入损耗;然后通过后道TSV工艺,在硅基转接板上制作传输线和带TSV过孔的传输结构,用矢量网络分析仪法测试传输线和带TSV过孔的传输结构的插入损耗;最后计算得到单个TSV过孔的插入损耗,结果显示在0.1～30 GHz频段内其插入损耗S21≤0.1 dB,实现了基于TSV的低损耗信号传输。

• 出版日期2019
• 单位中国电子科技集团公司第三十八研究所