三维限制二次生长钙钛矿单晶薄膜X射线探测器制备方法

摘要

本发明公开了一种三维限制二次生长钙钛矿单晶薄膜X射线探测器制备方法，包括：获取衬底；在其上制备SU‑8/PMMA层得到SU‑8/PMMA/衬底基底；去除SU‑8/PMMA/衬底基底中多个区域的SU‑8/PMMA层得到多个狭缝状三维空间；在多个狭缝状三维空间中，利用过饱和MAPbI3溶液以及顶部覆盖刮刀移动的方式生长钙钛矿单晶阵列；去除阵列中间隔的SU‑8/PMMA层，在形成的狭缝状三维空间中再次生长钙钛矿单晶阵列，得到一层完整的钙钛矿单晶薄膜；基于至少一层钙钛矿单晶薄膜，在表面上制备电极得到X射线探测器。本发明能生长大尺寸、厚度均匀可控、高质量的钙钛矿单晶薄膜，制备大面积、高性能X射线探测器。

关键词