三维限制二次生长钙钛矿单晶薄膜X射线探测器制备方法

作者:张春福; 仝令威; 朱卫东; 巴延双; 陈大正; 习鹤; 张进成; 郝跃
来源:2022-10-19, 中国, CN202211281110.0.

摘要

本发明公开了一种三维限制二次生长钙钛矿单晶薄膜X射线探测器制备方法,包括:获取衬底;在其上制备SU-8/PMMA层得到SU-8/PMMA/衬底基底;去除SU-8/PMMA/衬底基底中多个区域的SU-8/PMMA层得到多个狭缝状三维空间;在多个狭缝状三维空间中,利用过饱和MAPbI-3溶液以及顶部覆盖刮刀移动的方式生长钙钛矿单晶阵列;去除阵列中间隔的SU-8/PMMA层,在形成的狭缝状三维空间中再次生长钙钛矿单晶阵列,得到一层完整的钙钛矿单晶薄膜;基于至少一层钙钛矿单晶薄膜,在表面上制备电极得到X射线探测器。本发明能生长大尺寸、厚度均匀可控、高质量的钙钛矿单晶薄膜,制备大面积、高性能X射线探测器。