电化学法涂层导体CeO_2缓冲层外延生长研究

作者：桑丽娜; 刘志勇; 鲁玉明; 朱红妹; 张义邴; 蔡传兵

来源：低温与超导, 2013, (03): 38-43.

DOI：10.16711/j.1001-7100.2013.03.004

• YBa2Cu3O7-δ
• 涂层导体
• 电化学沉积
• 缓冲层 YBCO
• Coated conductor
• Electro-deposition
• Buffer layer

电化学沉积法制备高温超导YBa2Cu3O7-δ涂层导体缓冲层具有工艺简单、设备要求低、易于连续化批量制备等优点。采用电化学沉积法,在双轴织构的Ni-5at.%W(Ni-5W)金属基带上成功制备出了具有良好c轴取向的CeO2缓冲层薄膜。利用X射线衍射、极图、扫描电子显微镜和原子力显微镜等对上述氧化物薄膜的织构、表面形貌等进行表征。重点研究了薄膜厚度、退火温度、退火时间等工艺对薄膜外延生长及其表面形貌的影响,结果表明:电化学沉积方法制备的CeO2缓冲层具有很好的双轴织构、表面平整、均一,粗糙度低,表现出良好的缓冲层性质。结合金属有机化学溶液超导层的制备技术,本工作展示了一条全化学法制备第二代高温超...

• 出版日期2013
• 单位上海大学