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A comparison between HfO2/Al2O3 nano-laminates and ternary HfxAlyO compound as the dielectric material in InGaAs based metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors
作者：Krylov Igor; Pokroy Boaz; Eizenberg Moshe; Ritter Dan
来源：
Journal of Applied Physics
, 2016, 120(12): 124505.
DOI：10.1063/1.4962855
出版日期
2016-9-28
单位
Technion - Israel Institute of Technology
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