一种基于金属氧化物的薄膜晶体管及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种基于金属氧化物的薄膜晶体管及其制备方法和应用,包括以下步骤：(1)制作缓冲层；(2)在上述缓冲层上沉积栅极金属层；(3)使用阳极氧化的方法,在栅极金属层上制备栅绝缘层,其中栅极金属层中不需要沉积氧化膜的部分使用光刻胶进行保护；(4)将光刻胶去除；(5)将不需要的金属引线去除；(6)在栅绝缘层制备有源层；(7)根据所设计的薄膜晶体管结构,沉积并图形化源漏电极、像素电极和保护层或刻蚀阻挡层。该发明采用纯Al或Al合金作为栅极金属,使用阳极氧化的方法制备栅绝缘层。通过调整栅极金属成分,能改变栅绝缘层的性能,进而改善薄膜晶体管的电学特性。

关键词