单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管源漏电流特性模型

作者：吕懿; 张鹤鸣; 胡辉勇; 杨晋勇; 殷树娟; 周春宇

来源：Acta Physica Sinica, 2015, (19): 280-285.

• 单轴应变Si
• n型金属氧化物半导体场效应晶体管
• 迁移率
• 阈值电压 uniaxially strained Si
• n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
• mobility model
• threshold voltage

本文在建立单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管迁移率模型和阈值电压模型的基础上,基于器件不同的工作区域,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了单轴应变Si NMOSFET源漏电流模型.其中将应力的影响显式地体现在迁移率和阈值电压模型中,使得所建立的模型能直观地反映出源漏电流特性与应力强度的关系.并且对于亚阈区电流模型,基于亚阈区反型电荷,而不是采用常用的有效沟道厚度近似的概念,从而提高了模型的精度.同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了模型的可行性.该模型已经被嵌入进电路仿真器中,实现了对单轴应变Si MOSFET器件和电路的模拟仿真.

• 出版日期2015
• 单位西安电子科技大学; 北京精密机电控制设备研究所; 北京信息科技大学