摘要
本发明提供一种AMOLED背板的制作方法及其结构。该AMOLED背板的制作方法为:依次在基板(1)上沉积缓冲层(2)、非晶硅层,使非晶硅层结晶、转变为多晶硅层并图案化多晶硅层,然后沉积一层P型重掺杂微晶硅层(P+uc-Si),接着进行黄光制程定义出沟道(40)的位置,再对P型重掺杂微晶硅层(P+uc-Si)进行蚀刻,形成源/漏极(41),后续依次形成栅极绝缘层(5)、栅极(61)、层间绝缘层(7)、金属源/漏极(81)、平坦层(9)、阳极(10)、像素定义层(11)、及光阻间隙物(12);所述源/漏极(41)与栅极(61)在水平方向上不重叠,相互间隔。该方法能够改善驱动TFT的电特性,使导通电流较高、漏电流较低,并减少图像残留,提高AMOLED的显示质量。
- 出版日期2014-12-26
- 单位深圳市华星光电技术有限公司