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摘要
本文运用第一性原理研究了单层MoS2在S位吸附Ag6团簇的稳定性、能带结构和态密度.结果表明,Ag6团簇在S位单点位吸附的稳定性强于双点位吸附、三点位吸附;其中吸附体系禁带中产生了2条杂质能级,原因在于Ag原子与S形成共价键下的施主能级与受主能级;Ag6团簇在单层MoS2的吸附导致态密度峰值在费米能级处发生劈裂,说明Ag6团簇的吸附会增强单层MoS2的光电特性;单层MoS2的能带结构可以通过表面吸附Ag6团簇以及金属团簇进行调控;在实际的生产应用中依据不同的金属团簇吸附于单层MoS2表面得到需要的的半导体器件.
- 出版日期2018
- 单位重庆文理学院
